据华尔街日报报道指出，过去两年困扰全球的计算机芯片全球短缺可能很快蔓延到更先进的芯片，这些芯片用于为下一代智能手机和数据中心工作负载提供动力。
两年来的芯片荒到目前为止只真正影响了低端芯片，但随着半导体制造商遭遇生产问题并难以获得制造更先进处理器所需的制造设备，这种情况可能会发生变化。
报道进一步指出，到2024年，先进芯片供应缺口恐高达20%。这将对依赖它们的行业产生连锁反应，例如人工智能、高性能计算和自动驾驶汽车。
报道指出，由于技术障碍和所需的巨额投资，只有台积电和三星这两家芯片制造商有能力制造高端芯片。
在部分情况下亚新体育，新订单的交付期限已延长两到三年，有知情人士透露，台积电部分客户已收到警告，称设备采购问题恐导致公司无法在明后两年增加产量。
关键字：编辑：王兆楠 引用地址：缺口达20%！“芯片荒”或急速蔓延到先进芯片领域
近日，芯驰科技高性能高可靠车规MCU 芯片E3获得由国家密码管理局（以下简称“国密局”）商用密码检测中心认证的《商用密码产品认证证书》。芯驰科技成为国内首个获得国密二级认证的车规芯片企业。 本次认证涵盖了对安全芯片的安全等级、密码算法、安全芯片接口、密钥管理、敏感信息保护等多维度项目的综合评估，芯驰科技E3成功通过所有项目认证，获得国密二级认证。 随着智能网联汽车的逐渐成熟，人车路协同将极大增加车与车、车与人、车与路的密切沟通。此外，“软件定义汽车”趋势下未来的OTA升级会更加频繁，任何一个环节中的信息交互遭遇黑客攻击，都有可能造成严重的安全事故。芯驰车规芯片的信息安全保护可以有效降低这一风险。 根据国密局对芯片信息安
下图是基于功率芯片TDA8929T构建的D类音频功放电路图。 关于 TDA8929T： 功率 IC TDA8929T 是用于高效 D 类音频功率放大器系统的两芯片组的控制器。该系统分为两个芯片： TDA8929T；SO24封装内的模拟控制器芯片 TDA8926J/ST/TH 或 TDA8927J/ST/TH；DBS17P、RDBS17P 或 HSOP24 功率封装内的数字功率级。 有了这个芯片组一个紧凑的 2 50 瓦还是 2 瓦可以构建 100 W 音频放大器系统，以高效率和相当低的功耗运行。不需要散热器，或者根据电源电压和负载，一个非常小的散热器。该系统在从 15 到 30 V 的宽电源电压范围内运行，并且消耗极小的静态电
TDA8929T构建的D类音频功放电路图 /
6月8日消息，世界半导体贸易统计组织（WSTS）近日发布预测称，2023年全球半导体市场规模将同比减少10.3％，降至5150亿美元。 此前在2022年11月，世界半导体贸易统计组织曾发布预测称，2023年半导体市场规模将同比减少4.1％，降至5565亿美元。 值得一提的是，该组织还公布了2024年全球半导体市场规模预期。数据显示，预计2024年半导体市场规模将比2023年增加11.8％，达到5759亿美元，并高于2022年5740亿美元的市场规模。 据WSTS的数据称，今年4月全球芯片销售额同比暴跌21.6%。最新区域数据显示，除中国市场芯片销售额环比增长2.9%，日本市场环比增长0.9%以外，欧洲、美洲和亚太其他市
6月7日晚间，三安光电发布公告称，公司与半导体龙头公司意法半导体签署协议，拟在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 公告显示，该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%。项目预计投资总额达32 亿美元，待监管部门批准后即开工建设，计划于2025 年第四季度开始生产，预计将于 2028 年全面落成，将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术，达产后可生产8吋碳化硅晶圆10000片/周。 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计
根据企查查信息显示，近日，舆芯半导体完成近亿元天使轮融资，本轮融资由临芯投资领投， 南湖金服跟投。融资资金将主要用于车规级芯片领域的前沿技术开发亚新体育、产品技术升级以及高端人才储备等用途。 车规级MCU“新星” 据了解，作为一家车规级MCU芯片公司，舆芯半导体成立于2022年，主要提供新电子电气架构下的全场景芯片，基础软件以及零部件解决方案，用于动力、底盘、引擎发动机、电动机、区域控制器、BMS等场景。 图源：舆芯半导体 该公司总部位于浙江嘉兴，在全球拥有车规芯片设计中心、车规安全软件设计中心、车规安全应用设计中心三大部门，分别位于美国加州，中国上海电路板、杭州、广州。具备从前端到后端设计，再到生产测试的完整的团队，具有
完成近亿元天使轮融资，聚焦车规级MCU国产替代 /
存储器 芯片测试 介绍 存储器芯片是在特定条件下用来存储数字信息的芯片。存储的信息可以是操作代码，数据文件或者是二者的结合等。根据特性的不同，存储器可以分为以下几类，如表1所示： 存储器术语的定义 在讨论存储器芯片测试之前，有必要先定义一些相关的术语。 写入恢复时间（Write Recovery Time）：一个存储单元在写入操作之后和正确读取之前中间必须等待的时间。 保持时间（Hold Time）：输入数据电平在锁存时钟之后必须保持的时间间隔。 Pause Test：存储器内容保持时间的测试。 刷新时间（Refresh Time）：存储器刷新的最大时间间隔。 建立时间（Setup Time）：输入数据电平在锁存时钟之前必须稳
测试的基本测试技术 /
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